Semiq GP2T080A120H

SIC MOSFET 1200 В 80 м 247-4L

Проиджоделх: Полук
NoMerPOIзVODITELEL: Semiq GP2T080A120H
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 65
Sku: GP2T080A120H
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $11.0900

Эkst цena:$11.0900

Подрэбной

Парметр
Млн	Полук
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	Sicfet (kremniewый karbid)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	1200
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	35A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	20
Rds on (max) @ id, vgs	100mohm @ 20a, 20 В
Vgs (th) (max) @ id	4 w @ 10ma
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	61 NC @ 20 V
Vgs (mmaks)	+25, -10.
Взёр.	1377 pf @ 1000
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	188W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	247-4
PakeT / KORPUES	247-4
Baзowый nomer prodikta	GP2T080A
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	1560-GP2T080A120H
Станодар	30

N-канал 1200-35а (TC) 188W (TC).