SemiQ GP2T080A120H — полевые транзисторы SemiQ, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

ПолуQ GP2T080A120H

НИЦ МОП-транзистор 1200В 80М ТО-247-4Л

  • Производитель: ПолуQ
  • Номер производителя: ПолуQ GP2T080A120H
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 65
  • Артикул: GP2T080A120H
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $11.0900

Дополнительная цена:$11.0900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ПолуQ
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 100 мОм при 20 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 10 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 61 НК при 20 В
ВГС (Макс) +25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1377 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 188 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-4
Пакет/ключи ТО-247-4
Базовый номер продукта GP2T080A
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1560-GP2T080A120H
Стандартный пакет 30
Н-канал 1200 В 35 А (Тс) 188 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4