Парметр |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | Hexfet® |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | ПРЕКРЕЙНОВ ДИГОВОЙ КЛЮЧ |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 55 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4.7a |
Rds on (max) @ id, vgs | 50mohm @ 4.7a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 1В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 36NC @ 10V |
Взёр. | 740pf @ 25V |
Синла - МАКС | 2W |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 ТАКОГО |
Baзowый nomer prodikta | IRF734 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 3800 |
MOSFET Массив 55V 4,7a 2w-porхnoStnoe