Парметр |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | Hexfet® |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Prekraщen-digi-key |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | N и п-канал |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 5.2a, 4.3a |
Rds on (max) @ id, vgs | 50mohm @ 2,6a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 700 м. @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 20nc @ 4,5 |
Взёр. | 660pf @ 15v |
Синла - МАКС | 2W |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 ТАКОГО |
Baзowый nomer prodikta | IRF73 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | SP001559776 |
Станодадж | 95 |
MOSFET Array 20 В 5,2a, 4,3a 2w-porхnostnoe