Парметр |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2,5 yt (tat) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 ТАКОГО |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | SP001559898 |
Станодар | 95 |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | Hexfet® |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 12a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 10mohm @ 12a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3 w @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 19 NC @ 4,5 |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 2050 PF @ 10 V |
N-kanal 20-12A (tata) 2,5-ть (ta) porхnostnoe