Парметр |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | Hexfet® |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 P-KANOL (DVOйNOй) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4.3a |
Rds on (max) @ id, vgs | 55mohm @ 4,3a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1,2- 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 15NC @ 5V |
Взёр. | 1066PF @ 10V |
Синла - МАКС | 1,25 Вт |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Micro8 ™ |
Baзowый nomer prodikta | IRF7555 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 4000 |
MOSFET Array 20 В 4,3а 1,25