Технология микрочипа APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT25GP90BDQ1G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6173
Артикул: APT25GP90BDQ1G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	СИЛА МОС 7®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ПТ
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	900 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	72 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	110 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3,9 В @ 15 В, 25 А
Мощность - Макс.	417 Вт
Переключение энергии	370 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	110 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	13 нс/55 нс
Условия испытаний	600 В, 40 А, 4,3 Ом, 15 В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247 [Б]
Базовый номер продукта	АПТ25ГП90
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

IGBT PT 900 В 72 А 417 Вт сквозное отверстие ТО-247 [Б]