| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Тандерболт IGBT® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип БТИЗ | ДНЯО |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 600 В |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 43 А |
| Ток-коллекторный импульсный (Icm) | 80 А |
| Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2,5 В @ 15 В, 20 А |
| Мощность - Макс. | 174 Вт |
| Переключение энергии | 215 мкДж (вкл.), 245 мкДж (выкл.) |
| Тип входа | Стандартный |
| Заряд от ворот | 100 НК |
| Td (вкл/выкл) при 25°C | 8 нс/80 нс |
| Условия испытаний | 400В, 20А, 5Ом, 15В |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-247-3 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247 [Б] |
| Базовый номер продукта | АПТ20GT60 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
IGBT NPT 600 В 43 А 174 Вт сквозное отверстие ТО-247 [Б]