Технология микрочипа APT35GN120L2DQ2G

АПТ35GN120L2DQ2G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT35GN120L2DQ2G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2400
Артикул: АПТ35GN120L2DQ2G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $10.7800

Дополнительная цена:$10.7800

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ДНЯО, Остановка траншейного поля
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	94 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	105 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,1 В @ 15 В, 35 А
Мощность - Макс.	379 Вт
Переключение энергии	2,315 мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	220 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	24 нс/300 нс
Условия испытаний	800 В, 35 А, 2,2 Ом, 15 В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-264-3, ТО-264АА
Базовый номер продукта	АПТ35ГН120
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 В, 94 А, 379 Вт, сквозное отверстие