| Параметры |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247-4 |
| Пакет/ключи | ТО-247-4 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0080 |
| Стандартный пакет | 30 |
| Производитель | Диодные решения SMC |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | - |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | - |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | - |
| ВГС (Макс) | - |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Рабочая температура | - |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
Н-канальный, 1200 В, сквозное отверстие ТО-247-4