Диодные решения SMC S2M0080120D

МОП-транзистор из карбида кремния SIC 1200 В

Производитель: Диодные решения SMC
Номер производителя: Диодные решения SMC S2M0080120D
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 276
Артикул: S2M0080120D
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $14.9200

Дополнительная цена:$14.9200

Подробности

Параметры
Производитель	Диодные решения SMC
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	41А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	100 мОм при 20 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В при 10 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	54 НК при 20 В
ВГС (Макс)	+25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1324 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	231 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-247АД
Пакет/ключи	ТО-247-3
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Затронуто REACH
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	25

N-канальный 1200 В, 41 А (Tc) 231 Вт (Tc), сквозное отверстие ТО-247АД