| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Управо |
| Дип | ШOTKIй - Сингл |
| Napraheneee - пик в | 7в |
| Emcostath @ vr, f | 1pf @ 0v, 1 мгест |
| СОПРЕТИВЛЕЕЕЕ @ if, f | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 280 м |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| PakeT / KORPUES | TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Создание 92 |
| Baзowый nomer prodikta | MBD10 |
| Статус Ройс | Rohs |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Станодар | 5000 |
RF Diode Schottky - Odinoчnый 7- 280 м.