Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В приземлении | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 512 мг |
Прирост | 26 ДБ |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 100 май |
Питани - В.О. | 100 y |
Napraheneee - оинка | 133 В |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | Ni-780S-4L |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ni-780S-4L |
Baзowый nomer prodikta | MMRF1305 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | Neprigodnnый |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Дрогин ИНЕНА | 935318166178 |
Станодар | 50 |
RF MOSFET 50- 100 мам 512 MMGц 26DB 100W NI-780S-4L