| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Винбонд |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR |
| Raзmerpmayti | 128 мб |
| Органихая | 8m x 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 200 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 50 млн |
| Napraheneee - posta | 2,3 В ~ 2,7 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 66-tsop II |
| Baзowый nomer prodikta | W9412G6 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0002 |
| Дрогин ИНЕНА | W9412G6JH5I |
| Станодар | 200 |
SDRAM - DDR Memime IC 128MBIT Параллель 200 мг.
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p