Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GB100YG120NT

ВС-GB100YG120NT

Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GB100YG120NT
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 3724
Артикул: ВС-GB100YG120NT
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Устаревший
Тип БТИЗ	ДНЯО
Конфигурация	Полный мост
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	127 А
Мощность - Макс.	625 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	4 В @ 15 В, 100 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	80 мкА
Вход	Стандартный
НТЦ Термистор	Да
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	ЭКОНО3 4 ПАКЕТА
Базовый номер продукта	100 ГБ
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	10

Модуль IGBT NPT Полный мост 1200 В 127 А 625 Вт Монтаж на шасси ECONO3 4PACK