Технология микрочипа APT65GP60L2DQ2G

АПТ65ГП60Л2ДК2Г

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT65GP60L2DQ2G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3215
Артикул: АПТ65ГП60Л2ДК2Г
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $20.7000

Дополнительная цена:$20.7000

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	СИЛА МОС 7®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ПТ
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	198 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	250 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,7 В @ 15 В, 65 А
Мощность - Макс.	833 Вт
Переключение энергии	605 мкДж (вкл.), 895 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	210 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	30 нс/90 нс
Условия испытаний	400В, 65А, 5Ом, 15В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-264-3, ТО-264АА
Базовый номер продукта	АПТ65ГП60
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

IGBT PT 600 В 198 А 833 Вт Сквозное отверстие