| Параметры |
| Размер | 2Гбит |
| Организация | 128М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 45нс |
| Время доступа | 45 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 63-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 63-БГА (11х9) |
| Базовый номер продукта | С34МС02 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0051 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Расширение |
| Ряд | МС-2 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ВСПЫШКА |
| Технология | ФЛЕШ-НЕ-НЕ |
ИС флэш-памяти NAND, 2 Гбит, параллельный, 45 нс, 63-BGA (11x9)