onsemi NVMD6N04R2G - onsemi FETs, MOSFETs - BOM, Chip Distributor, Quick Quotation 365day Warranty
product_banner

онсеми NVMD6N04R2G

НВМД6Н04Р2Г

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NVMD6N04R2G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7113
  • Артикул: НВМД6Н04Р2Г
  • Цены:мы создали исключительно гибкую и конкурентоспособную ценовую политику.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность полевого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4,6А
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34 мОм при 5,8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 нК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 900пФ при 32В
Мощность - Макс. 1,29 Вт
Рабочая температура -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/кейс 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Пакет устройств поставщика 8-СОИК
Базовый номер продукта НВМД6
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без ограничений)
Статус REACH REACH не затронут
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Массив МОП-транзисторов 40 В, 4,6 А, 1,29 Вт, для поверхностного монтажа, 8-SOIC