Micron Technology Inc. NAND512W3A2CZA6E
NAND512W3A2CZA6E
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. NAND512W3A2CZA6E
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1546
- Sku: NAND512W3A2CZA6E
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | NeleTUSHIй |
| Формат пэмаи | В.С. |
| Тела | Flash - nand |
| Raзmerpmayti | 512 мб |
| Органихая | 64 м х 8 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| Верный | 50NS |
| Вернее | 50 млн |
| Napraheneee - posta | 2,7 В ~ 3,6 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 63-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 63-VFBGA (9x11) |
| Baзowый nomer prodikta | NAND512 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B1A |
| Htsus | 8542.32.0071 |
| Дрогин ИНЕНА | -Nand512w3a2cza6e |
| Станодар | 210 |
Flash - Nand Memory IC 512MBIT PARALLEL 50 NS 63 -VFBGA (9x11)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p