Парметр |
Млн | OnSemi |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 P-KANOL (DVOйNOй) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 1.6a |
Rds on (max) @ id, vgs | 145mohm @ 2,2a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1,4 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 5,5NC @ 4,5 В. |
Взёр. | 400pf @ 10 a. |
Синла - МАКС | 560 м |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-й стоп |
Baзowый nomer prodikta | NTGD31 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0095 |
Станодадж | 3000 |
MOSFET Array 20V 1.6A 560 мст