Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 500 май (таблица) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 1,8 В, 4,5 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 550mohm @ 500ma, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 1 NC @ 4,5 |
Vgs (mmaks) | ± 8 v |
Взёр. | 45 pf @ 10 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 280 м |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SC-89-3 |
PakeT / KORPUES | SC-89, SOT-490 |
Baзowый nomer prodikta | AO5404 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0095 |
Станодар | 3000 |
N-kanal 20 v 500 май (TA) 280 мг (та)