Парметр | |
---|---|
Млн | Stmicroelectronics |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | - |
ЧastoTA | 1,2 Гер |
Прирост | 15 дБ |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 400 май |
Питани - В.О. | 750 Вт |
Napraheneee - оинка | 110 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | D4E |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | D4E |
Baзowый nomer prodikta | RF5L1214750 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Дрогин ИНЕНА | 497-RF5L1214750CB4 |
Станодадж | 100 |