STMICROELECTRONICS STGB50H65FB2
Дискрет
- Проиджоделх: Stmicroelectronics
- NoMerPOIзVODITELEL: STMICROELECTRONICS STGB50H65FB2
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 3004
- Sku: STGB50H65FB2
- Цenobraзovanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Stmicroelectronics |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 86 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 150 А. |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2V @ 15V, 50a |
| Синла - МАКС | 272 Вт |
| Переклхейн | 910 мкд (на), 580 мкд (выключен) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 151 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 28ns/115ns |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 50А, 4,7 ОМ, 15 |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | D²PAK (DO 263) |
| Baзowый nomer prodikta | STGB50 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 497-STGB50H65FB2 |
| Станодадж | 1000 |
IGBT Trench Field Stop 650 V 86 A 272 Вт.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F