Stmicroelectronics stgwa100h65dfb2
Поле, а, 650, 650,, 1
- Проиджоделх: Stmicroelectronics
- NoMerPOIзVODITELEL: Stmicroelectronics stgwa100h65dfb2
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 5556
- Sku: STGWA100H65DFB2
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Stmicroelectronics |
| В припании | HB2 |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 145 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 300 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2V @ 15V, 100a |
| Синла - МАКС | 441 Вт |
| Переклхейн | 2,2MJ (ON), 1,4MJ (OFF) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 288 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 30ns/130ns |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 100A, 2,2 ОМ, 15 |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 123 м |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Долин. |
| Baзowый nomer prodikta | STGWA100 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168. |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 497-stgwa100h65dfb2 |
| Станодадж | 30 |
Полевое поле IGBT Стоп 650 В 145 А 441.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F