product_banner

GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL

GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL

МБР60020CTRL

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 9332
Артикул: МБР60020CTRL
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Добавить в список запросов предложений

Подробности

Теги

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Устаревший
Конфигурация диода	1 пара общего анода
Технология	Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	20 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	300А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	580 мВ при 300 А
Скорость	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)
Ток – обратная утечка @ Vr	3 при мА 20 В
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 150°С
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Башня-близнец
Поставщик пакета оборудования	Башня-близнец
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	25

Диодная матрица, 1 пара, общий анод, 20 В, 300 А, монтаж на шасси, башня Twin Tower

Больше продуктов