Issi, Ингрированано Кремни.
IS42S83200J-6TL
- Проиджоделх: Issi, ина
- NoMerPOIзVODITELEL: Issi, Ингрированано Кремни.
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2980
- Sku: IS42S83200J-6TL
- Цenobraзovanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Issi, ина |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM |
| Raзmerpmayti | 256 мб |
| Органихая | 32 м х 8 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 166 мг |
| Верный | - |
| Вернее | 5,4 млн |
| Napraheneee - posta | 3 В ~ 3,6 В. |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 54-TSOP II |
| Baзowый nomer prodikta | IS42S83200 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0024 |
| Станодадж | 108 |
SDRAM Memory IC 256MBIT PARALLEL 166 MMGц 5,4 млн. 54-зGOP II
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p