| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | Hexfet® |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 21a (TA) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
| Rds on (max) @ id, vgs | 3,8mohm @ 20a, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 2,35 -50 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 45 NC @ 4,5 |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 3860 PF @ 15 V |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2,5 yt (tat) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 ТАКОГО |
| PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
| Статус Ройс | Rohs |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | SP001554428 |
| Станодадж | 95 |
N-kanal 30- 21а (Ta) 2,5 yt (ta) poverхnosstnoe
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740