| Параметры |
| Производитель | Тагор Технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | GaN HEMT |
| Частота | 30 МГц ~ 4 ГГц |
| Прирост | 18 дБ |
| Напряжение – Тест | 32 В |
| Текущий рейтинг (А) | 700 мА |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий — Тест | 50 мА |
| Мощность — Выход | 12,5 Вт |
| Напряжение - номинальное | 120 В |
| Базовый номер продукта | ТА9210 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 5А991Г |
| ХТСУС | 8542.33.0001 |
| Другие имена | -2715-TA9210D |
| Стандартный пакет | 1 |
RF Mosfet 32 В 50 мА 30 МГц ~ 4 ГГц 18 дБ 12,5 Вт