Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B9V1-G
SOD-123, 410 мсст, 2%, nebolshoй sticnal
- Проиджоделх: ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
- NoMerPOIзVODITELEL: Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B9V1-G
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1812
- Sku: BZT52B9V1-G
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| На | 9.1. |
| Терпимость | ± 2% |
| Синла - МАКС | 410 м |
| Иппедс (mmaks) (zzt) | 15 О |
| Ток - Обратна тебе | 500 NA @ 6 V |
| На | 900 мВ @ 10 мая |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МООНТАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SOD-123 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOD-123 |
| Baзowый nomer prodikta | Bzt52b |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0050 |
| Дрогин ИНЕНА | 1801-BZT52B9V1-GTR |
| Станодадж | 6000 |
Zeneredode 9,1- 410 мт ± 2%.