Taiwan Semiconductor Corporation Bzt52c30-G
SOD-123, 350 мт, 5%, nebolshoй stignal
- Проиджоделх: ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
- NoMerPOIзVODITELEL: Taiwan Semiconductor Corporation Bzt52c30-G
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6560
- Sku: BZT52C30-G
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| На | 30 |
| Терпимость | ± 5% |
| Синла - МАКС | 350 м |
| Иппедс (mmaks) (zzt) | 80 ОМ |
| Ток - Обратна тебе | 100 Na @ 21 V |
| На | 900 мВ @ 10 мая |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МООНТАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SOD-123 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOD-123 |
| Baзowый nomer prodikta | Bzt52c |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0050 |
| Дрогин ИНЕНА | 1801-BZT52C30-GTR |
| Станодадж | 6000 |
Zeneredede 30-350 мт ± 5%