Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NH04CR RLG

40 В, 100A, ОДНОКАНАЛНА

Проиджоделх: ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
NoMerPOIзVODITELEL: Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NH04CR RLG
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: TSM025NH04CR RLG
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $5.0500

Эkst цena:$5.0500

Подрэбной

Парметр
Взёр.	3794 PF @ 25 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	136W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-pdfnu (5x6)
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	2500
Млн	ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
В припании	Perfet ™
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	26a (ta), 100a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	7 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	2,5mohm @ 50a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,6 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	59 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.

N-kanal 40- 26A (TA), 100A (TC) 136W (TC) PORхNOSTNONONOCHPLEPLENEEE, SMASHIVAEMый ФЛАНК 8-PDFNU (5x6)