Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04CV RGG

40 В, 54a, ОДНОКАНАЛАНАНА.

Проиджоделх: ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
NoMerPOIзVODITELEL: Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04CV RGG
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 10
Sku: TSM056NH04CV RGG
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.9000

Эkst цena:$2.9000

Подрэбной

Парметр
Млн	ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
В припании	Perfet ™
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	16a (ta), 54a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	7 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	5,6mohm @ 27a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	3,6 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	29 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1828 PF @ 25 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	34W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-pdfn (3,1x3,1)
PakeT / KORPUES	8-powerwdfn
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	1801-TSM056NH04CVRGGTR
Станодар	5000

N-kanal 40- 16a (ta), 54a (tc) 34w (tc) powrхnostnoe krepleneee 8-pdfn (3,1x3,1)