Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33

-30, -36, Одинохн П -Канал

Проиджоделх: ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
NoMerPOIзVODITELEL: Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 7855
Sku: TSM150P03PQ33
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,6916

Эkst цena:$0,6916

Подрэбной

Парметр
Млн	ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	10a (ta), 36a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	15mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	29,3 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1829 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2,3 Вт (TA), 27,8 st (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-pdfn (3,1x3,1)
PakeT / KORPUES	8-powerwdfn
Baзowый nomer prodikta	TSM150
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	1801-TSM150P03PQ33TR
Станодар	10000

P-Kanal 30- 10A (TA), 36A (TC) 2,3 st (TA), 27,8 st (TC) PoverхnoStnoe kreppleniee 8-pdfn (3,1x3,1)