Парметр |
Млн | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 P-KANAL |
FET FUONKSHINA | Станода |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 7.1A (TA) |
Rds on (max) @ id, vgs | 25mohm @ 7.1a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3 w @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 70NC @ 10V |
Взёр. | 1900pf @ 15v |
Синла - МАКС | 2W (TA) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
Baзowый nomer prodikta | TSM4925 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 1801-TSM4925DCSTR |
Станодар | 5000 |
MOSFET ARRAY 30V 7,1A (TA) 2W (TA)