Парметр |
Млн | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал |
FET FUONKSHINA | Станода |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4.5a (TA) |
Rds on (max) @ id, vgs | 55mohm @ 4,5a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3 w @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 30NC @ 10V |
Взёр. | 910pf @ 24 a. |
Синла - МАКС | 2,4 yt (tat) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
Baзowый nomer prodikta | TSM4946 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 1801-TSM4946DCSTR |
Станодар | 5000 |
MOSFET ARRAY 60-4,5A (TA) 2,4 мт (та).