Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P02CX

-20V, -4,1A, Одинохна П -Канал По

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,2435

Эkst цena:$0,2435

Подробнеси

Парметр
Млн	ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	4.1a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	1,8 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	65mohm @ 3a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	0,8 pri 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	6,4 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	± 10 В.
Взёр.	515 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,56 м (TC)
Rraboч -yemperatura	150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Baзowый nomer prodikta	TSM650
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	1801-TSM650P02CXTR
Станодар	12 000

P-KANAL 20- 4,1A (TC) 1,56 ш (TC)