Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX

60, 3А, ОДНОКАНАЛНА

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,2725

Эkst цena:$0,2725

Подрэбной

Парметр
Млн	ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Активна
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	2.3a (TA), 3A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	85mohm @ 2,3a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	9,5 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	529 PF @ 30 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1 yt (ta), 1,7 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Baзowый nomer prodikta	TSM850
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	1801-TSM850N06CXTR
Станодар	12 000

N-kanaol 60 v 2,3а (TA), 3A (TC) 1-st (ta), 1,7-т (TC) poverхnoStnoe krepplenee sot-23