| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Тел |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИСИЛИТЕЛ | CMOS |
| Колист | 2 |
| Втипа | Жeleзnodoroghonyk |
| Степень | 1,3 В/мкс |
| Poluhith | 1,25 мг |
| Ток - | 25 п |
| Ток - Посткака | - |
| Ток - | 30 май |
| На | 3 В |
| На | 15,5 В. |
| Raboч -yemperatura | -55 ° C ~ 125 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | Умират |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Умират |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.33.0001 |
| Дрогин ИНЕНА | 296-LMC6482MMD8 |
| Станодадж | 1 |
Cmos uciolyteleh 2 Circuit Thure to Rail Die
Болх
- Analog Devices Inc. LT1213CS8
- Analog Devices Inc. LT1178ACN8
- Texas Instruments LM1875T/NOPB
- Texas Instruments LMC6484AIN/NOPB
- Analog Devices Inc. LT1357CN8
- Texas Instruments LF347N/PB
- Texas Instruments LF353N/NOPB
- Texas Instruments LF356N/NOPB
- Texas Instruments LM1458N/NOPB
- Texas Instruments LM301AN/NOPB
- Texas Instruments LM318N/NOPB
- Texas Instruments LM324N/PB
- Texas Instruments LM348N/PB
- Texas Instruments LM358N/NOPB
- Texas Instruments LM380N-8/NOPB