Технология микрочипа JAN2N3763U4 — биполярная технология микрочипа (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология JAN2N3763U4

ЯН2Н3763У4

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N3763U4
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6201
  • Артикул: ЯН2Н3763У4
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд Военный, MIL-PRF-19500/396
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1,5 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 900 мВ при 100 мА, 1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 10 мкА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 20 @ 1 А, 1,5 В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 3-СМД, без свинца
Поставщик пакета оборудования U4
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор PNP 60 В 1,5 А 1 Вт для поверхностного монтажа U4