Microsemi Corporation APTGT200A602G — IGBT Microsemi Corporation — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Микросеми APTGT200A602G

АПТГТ200А602Г

  • Производитель: Корпорация Микросеми
  • Номер производителя: Корпорация Микросеми APTGT200A602G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 2083
  • Артикул: АПТГТ200А602Г
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Входная емкость (Cies) при Vce 12,3 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи SP2
Поставщик пакета оборудования SP2
Базовый номер продукта АПТГТ200
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Производитель Корпорация Микросеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 290 А
Мощность - Макс. 625 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,9 В @ 15 В, 200 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50 мкА
Модуль IGBT Trench Field Stop Полумост 600 В 290 А 625 Вт Крепление на шасси SP2