Toshiba Semiconductor and Storage GT30J65MRB,S1E

КРЕМНИЕВЫЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ IGBT 650 В, ТО-

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage GT30J65MRB,S1E
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация:-
Запас: 74
Артикул: GT30J65MRB,S1E
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.5800

Дополнительная цена:$2.5800

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	-
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	60 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1,8 В @ 15 В, 30 А
Мощность - Макс.	200 Вт
Переключение энергии	1,4 мДж (вкл.), 220 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	70 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	75 нс/400 нс
Условия испытаний	400 В, 15 А, 56 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr)	200 нс
Рабочая температура	175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-3П-3, СК-65-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-3П(Н)
Базовый номер продукта	GT30J65
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	25

IGBT 650 В 60 А 200 Вт сквозное отверстие ТО-3П(Н)