Toshiba Semiconductor and Storage RN1406,LXHF — Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage RN1406,LXHF

АВТО AEC-Q ОДИНОЧНЫЙ NPN Q1BSR=4,7K

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage RN1406,LXHF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1026
  • Артикул: РН1406,ЛХХФ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0645

Дополнительная цена:$0,0645

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 4,7 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 47 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 при 10 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 250 мкА, 5 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Частота – переход 250 МГц
Мощность - Макс. 200 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования S-Мини
Базовый номер продукта РН1406
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением 50 В, 100 мА, 250 МГц, 200 мВт, для поверхностного монтажа S-Mini