Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV,L3XHF

АВТО AEC-Q SS MOS P-CH НИЗКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV,L3XHF
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 14
Артикул: SSM3J66MFV,L3XHF
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3900

Дополнительная цена:$0,3900

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	У-МОСВИ
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	P-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	800 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	1,2 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	390 мОм при 800 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	1,6 нк при 4,5 В
ВГС (Макс)	+6В, -8В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	100 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	150 мВт (Та)
Рабочая температура	150°С
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ВЕСМ
Пакет/ключи	СОТ-723
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.21.0095
Стандартный пакет	8000

P-канал 20 В 800 мА (Ta) 150 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа VESM