Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15CT, L3F

МОСФЕТ N-CH 30 В 100 MMA CST3

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15CT, L3F
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 1103
Sku: SSM3K15CT, L3F
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	100 май (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В, 4 В.
Rds on (max) @ id, vgs	4OM @ 10MA, 4V
Vgs (th) (max) @ id	1,5 -пр. 100 мк
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	7,8 PF @ 3 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	100 март (таблица)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	CST3
PakeT / KORPUES	SC-101, SOT-883
Baзowый nomer prodikta	SSM3K15
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.21.0095
Станодар	10000

N-kanal 30- 100 май (та) 100 мг (та)