Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4E08QM,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4E08QM,S1X

УМОС10 ТО-220АБ 80В 2,4МОм

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4E08QM,S1X
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 196
  • Артикул: ТК2Р4Е08QМ,S1X
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.1800

Дополнительная цена:$3.1800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд U-MOSX-H
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,44 мОм при 50 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В @ 2,2 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 178 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 13000 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 300 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Н-канал 80 В 120 А (Тс) 300 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220