Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W5,S5VX — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W5,S5VX

СИЛОВОЙ МОП-транзистор ПБ-Ф К-

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W5,S5VX
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 2808
  • Артикул: ТК5А60В5,С5ВС
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,5900

Дополнительная цена:$1,5900

Подробности

Теги

Параметры
Поставщик пакета оборудования ТО-220СИС
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд ДТМОСИВ
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4,5 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 950 мОм при 2,3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В при 230 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 370 пФ при 300 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 30 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Сквозное отверстие
N-канал 600 В 4,5 А (Ta) 30 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220SIS