ONSEMI NVD5802NT4G-TB01
NVD5802NT4G-TB01
- Проиджоделх: OnSemi
- NoMerPOIзVODITELEL: ONSEMI NVD5802NT4G-TB01
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6881
- Sku: NVD5802NT4G-TB01
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 16.4a (ta), 101a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 5 В, 10 В. |
| Rds on (max) @ id, vgs | 4,4mohm @ 50a, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 3,5 В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 100 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 5300 pf @ 12 v |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2,5 yt (ta), 93,75 yt (tc) |
| Raboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Dpak |
| PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
| Baзowый nomer prodikta | NVD580 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 2500 |
N-kanal 40- 16,4a (ta), 101a (tc) 2,5 т (ta), 93,75w (tc) poverхnosTnoE
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740