| Параметры |
| Производитель | Ренесас Электроникс Америка Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — двухпортовый, асинхронный |
| Размер | 1Мбит |
| Организация | 64К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 15 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 100-LQFP |
| Поставщик пакета оборудования | 100-ТКФП (14х14) |
| Базовый номер продукта | 70В28 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2B |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 90 |
SRAM — двухпортовая, асинхронная микросхемная память, 1 Мбит, параллельный, 15 нс, 100-TQFP (14x14)