Трансформ TP65H015G5WS

650 В 95 А ГАН ФЕТ

Производитель: Трансформировать
Номер производителя: Трансформ TP65H015G5WS
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 274
Артикул: ТП65Х015Г5ВС
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $33.5400

Дополнительная цена:$33.5400

Подробности

Параметры
Vgs(th) (Макс) @ Id	4,8 В при 2 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	100 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	5218 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	266 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Пакет/ключи	ТО-247-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	1707-TP65H015G5WS
Стандартный пакет	30
Производитель	Трансформировать
Ряд	СуперГаН™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	93А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	18 мОм при 60 А, 10 В

Н-канал 650 В 93 А (Тс) 266 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-3