Transphorm TP65H035G4WS — полевые транзисторы Transphorm, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Трансформ TP65H035G4WS

ГАНФЕТ Н-Ч 650В 46,5А ТО247-3

  • Производитель: Трансформировать
  • Номер производителя: Трансформ TP65H035G4WS
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 533
  • Артикул: TP65H035G4WS
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $18.6500

Дополнительная цена:$18.6500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Трансформировать
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 46,5 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 41 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,8 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 НК при 0 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 156 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-3
Пакет/ключи ТО-247-3
Базовый номер продукта ТП65Х035
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1707-TP65H035G4WS
Стандартный пакет 30
Н-канал 650 В 46,5 А (Тс) 156 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-3