Transphorm TP65H035G4WSQA - Transphorm FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Трансформ TP65H035G4WSQA

650 В 46,5 ГАН ФЕТ

  • Производитель: Трансформировать
  • Номер производителя: Трансформ TP65H035G4WSQA
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 426
  • Артикул: TP65H035G4WSQA
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $20.0900

Дополнительная цена:$20.0900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Трансформировать
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47,2А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 41 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,8 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 187 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-3
Пакет/ключи ТО-247-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1707-TP65H035G4WSQA
Стандартный пакет 30
Н-канал 650 В 47,2 А (Тс) 187 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-3